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Gegenstand eines erfolgreich abgeschlossenen DFG-Projektes war die Entwicklung von integrierten Schaltkreisen für die Datenregeneration, d.h. Takt­rück­ge­winnung und Datenentscheider, für NRZ-Daten­raten von 10 Gbit/s auf der Basis von Si-CMOS-Technologien. Die Realisierung der ASICs erfolgte im Rahmen von CMP auf der Grundlage einer durch STM angebotenen 0.18 µm-Technologie.

Dieses Vorhaben war Teil eines gemeinsam mit Kollegen von der Universität Stuttgart und der Southeast University Nanjing, China, durch­ge­führten, von der DFG sowie mit dem NSFC geförderten Projektes, dass die Entwicklung kompletter Chip-Sätze für Sender und Empfänger opto-elektronischer Daten­über­tragungs­strecken bei 10 Gbit/s zum Ziel hatte.

 

In einem ebenfalls erfolgreich abgeschlossenen DFG-Projekt wurden wiederum in der III/V-HEMT-Technologie von OMMIC Limeil, Frankreich, integrierte aktive Sensoren für die Vermessung elektromagnetischer Nahfelder von IC’s und Leiterplatten entwickelt.

Die Ergebnisse flossen in das Europäische MEDEA Projekt PARACHUTE ein, in dem unter Führung des Fraunhofer ENAS/ASE Paderborn die Universitäten in Erlangen/Nürnberg sowie Hannover und die Firmen Infineon Technologies AG, München sowie Continental TEMIC Nürnberg zusammenarbeiten.

 

 

 

 

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